在英特尔去年推出的IDM 2.0战略中，投资200亿美元在美国建设两座先进制程晶圆厂是关键一环前几天有跳票的消息，因为官方520亿美元的芯片补贴法案还没有通过，但现在有消息称英特尔已经获得补贴，新工厂已经开工

据digitimes报道，有报道称，英特尔已经正式购买了美国俄亥俄州新晶圆厂所需的土地，投资额高达200亿美元。

虽然工厂已经开工，但是英特尔的晶圆厂仍然存在很多问题美国政府的补贴将决定工厂的规模此前，英特尔表示，由于政府520亿美元的芯片法案停滞不前，他们不得不推迟或减少在俄亥俄州的投资规模，甚至威胁要在欧洲建厂

根据英特尔此前的信息，这两座新建的晶圆厂将分别命名为Fab 52和Fab 62，并首次透露这些工厂将在2024年量产20年这是英特尔面向未来的CPU技术，也是它第一次进入后纳米时代Amy级技术推出，其中A代表Amy

虽然工艺细节还没公布，20A相当于一个朋友的2nm工艺，会有两个黑科技mdashmdash带状FET和PowerVia。

据英特尔称，RibbonFET是英特尔对Gate All Around transistor的实现，它将是该公司自2011年首次推出FinFET以来的第一个全新的晶体管架构该技术加快了晶体管的开关速度，同时实现了与多鳍片结构相同的驱动电流，但占用空间更小

PowerVia是英特尔独有的第一个背面电力传输网络，它通过消除晶圆正面的电源和布线需求来优化信号传输。

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